Två back-to-back diod PN-övergång av en bipolär korsning transistor. Framåt bias EB Knut hål injiceras från regionen emitter, CB i omvänd bias junction barriären under inverkan av ett elektriskt fält till collector område, bildar collector nuvarande IC. De flesta av samlaren bias spänning mellan sändaren och läggs på omvänd partisk insamlare.
Om transistorn #39; s emitter nuvarande förstärkande koefficient β = IC/IB = 100, collector nuvarande IC = beta * IB = 10mA. Om en alternerande bas stapling i bias krets för små nuvarande IB, visas i collector kretsen en motsvarande växelström IC, c/IB = beta, bipolär transistor #39; s nuvarande förstärkning realiseras.